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Wissenschaftler der Tsinghua University in China haben eine neue Methode zum 3D-Druck von Halbleitern entwickelt. Laut einem Bericht in der South China Morning Post verzichtet das als “3D Pin” bezeichnete Verfahren im Gegensatz zu herkömmlichen Polymer-Bindern auf organische Verbindungen.
Stattdessen kommt eine spezielle Tinte mit Halbleiter-Nanokristallen zum Einsatz. Ein molekularer Kleber härtet die Verbindungen zwischen den Nanokristallen beim Bestrahlen mit einem Laser aus. So entstehen stabile 3D-Strukturen.
Die Methode ermöglicht laut den Forschern eine hohe Präzision. Damit lasse sich eine Vielzahl von Halbleitern, Metallen und Metalloxiden drucken. Als Beispiel wurde ein leuchtender Pixel-Drache aus roten und blauen Halbleiterkristallen gedruckt.
Im Gegensatz zu planaren integrierten Schaltkreisen können mit 3D Pin direkt dreidimensionale Strukturen erzeugt werden. Laut den Forschern soll das Verfahren die integrierte Schaltungstechnik ergänzen und nicht ersetzen, insbesondere für 3D-Bauteile. Die Ergebnisse zeigen großes Potenzial für den 3D-Druck von Hightech-Materialien.
